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體積更小且支持大功率！ROHM開始量產(chǎn)TOLL封裝的SiC MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產(chǎn)TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導(dǎo)通電阻的以往封裝產(chǎn)品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產(chǎn)品非常適用于功率密度日益提高的服務(wù)器電源、ESS（儲(chǔ)能系統(tǒng)）以及要求扁平化設(shè)計(jì)的薄型電源等工業(yè)設(shè)備。與以往封裝產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的體積更小更薄，器件面積削減了約26%，厚度減半，僅為2.3mm。另外，很多TOLL封裝的普通產(chǎn)品的
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英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性，為客戶帶來更高靈活度

●? ?英飛凌與羅姆簽署諒解備忘錄，約定互為采用特定碳化硅（SiC）半導(dǎo)體產(chǎn)品的客戶提供第二供應(yīng)商支持●? ?未來，客戶可在英飛凌與羅姆各自的對(duì)應(yīng)產(chǎn)品間輕松切換，從而提升設(shè)計(jì)與采購的靈活性●? ?此類產(chǎn)品能提高汽車車載充電器、可再生能源及AI數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場(chǎng)景中的功率密度英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer（左）羅姆董事兼常務(wù)執(zhí)行官伊野和英（右）全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國(guó)諾伊比貝格，以
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羅姆與英飛凌攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）近日宣布，與英飛凌科技股份公司（總部位于德國(guó)諾伊比貝格，以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。雙方旨在對(duì)應(yīng)用于車載充電器、太陽能發(fā)電、儲(chǔ)能系統(tǒng)及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的SiC功率器件封裝展開合作，推動(dòng)彼此成為SiC功率器件特定封裝的第二供應(yīng)商。未來，用戶可同時(shí)從羅姆與英飛凌采購兼容封裝的產(chǎn)品，既能靈活滿足客戶的各類應(yīng)用需求，亦可輕松實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品切換。此次合作將顯著提升用戶在設(shè)計(jì)與采購環(huán)節(jié)的便利性。英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁　Peter
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175℃極限突破！SiC JFET 讓固態(tài)斷路器（SSCB）無懼高溫工況

斷路器是一種用于保護(hù)電路免受過流、過載及短路損害的裝置。它不用于保護(hù)人員免受電擊，而用于防范此類電擊的裝置被稱為剩余電流裝置（RCD）或接地故障斷路器（GFCI）。該裝置可檢測(cè)泄漏電流并切斷電路。機(jī)電式斷路器的設(shè)計(jì)可追溯至 20 世紀(jì) 20 年代，如今仍被廣泛應(yīng)用。與早期的熔斷器設(shè)計(jì)相比，斷路器具有顯著優(yōu)勢(shì) ——可重復(fù)使用，而早期的熔斷器使用一次后就必須更換。如今，隨著寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，固態(tài)斷路器正占據(jù)更大的市場(chǎng)份額。與硅基半導(dǎo)體相比，寬禁帶半導(dǎo)體開關(guān)在正常運(yùn)行期間具有更低的通態(tài)損耗和更高的效率
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SiC推動(dòng)電動(dòng)汽車向800V架構(gòu)轉(zhuǎn)型，細(xì)數(shù)安森美的核心SiC方案

隨著電動(dòng)汽車(EV)逐漸成為主流，人們對(duì)電動(dòng)汽車的性能、充電時(shí)間和續(xù)航里程的期望持續(xù)攀升。要滿足這些需求，不僅需要在用戶界面層面進(jìn)行創(chuàng)新，更要深入動(dòng)力系統(tǒng)架構(gòu)展開革新。而推動(dòng)這一演進(jìn)的關(guān)鍵趨勢(shì)之一，便是電池系統(tǒng)從400V向800V（乃至1200V）的升級(jí)。這種轉(zhuǎn)變能實(shí)現(xiàn)充電提速、功率提升與能源高效利用，但同時(shí)也帶來了新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。安森美(onsemi)正處于這一變革的前沿。安森美提供一系列碳化硅(SiC) 解決方案，包括650V 和1200V M3S EliteSiC MOSFET和汽車功率模塊(APM)
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SiC和GaN技術(shù)重塑電力電子行業(yè)前景

電力電子行業(yè)將進(jìn)入增長(zhǎng)的最后階段，預(yù)計(jì)到 2025 年評(píng)估市場(chǎng)價(jià)值將達(dá)到 517.3 億美元，到 2030 年將達(dá)到 674.2 億美元。5.4% 的穩(wěn)定復(fù)合年增長(zhǎng)率源于對(duì)能源效率、可再生能源集成和半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)的需求穩(wěn)步增長(zhǎng)。增長(zhǎng)動(dòng)力：市場(chǎng)的積極勢(shì)頭源于相互關(guān)聯(lián)的現(xiàn)象：清潔能源勢(shì)在必行隨著世界試圖實(shí)現(xiàn)碳中和，包括太陽能光伏和風(fēng)電場(chǎng)在內(nèi)的可再生能源系統(tǒng)將成為主流。因此，電力電子設(shè)備被用于這些系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)高效的能源轉(zhuǎn)換、電網(wǎng)集成和實(shí)時(shí)管理。交通電氣化隨著電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車不再被視為小眾市場(chǎng)，現(xiàn)在對(duì)高性能
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國(guó)內(nèi)首顆：納芯微CAN FD收發(fā)器NCA1044-Q1通過豐田VeLIO認(rèn)證

近日，納芯微宣布其車規(guī)級(jí)CAN FD收發(fā)器芯片NCA1044-Q1順利通過豐田VeLIO（Vehicle LAN Interoperability and Optimization）認(rèn)證。在此之前，該產(chǎn)品已獲得歐洲權(quán)威機(jī)構(gòu)IBEE/FTZ-Zwickau EMC認(rèn)證。兩項(xiàng)國(guó)際權(quán)威認(rèn)證的相繼取得，標(biāo)志著NCA1044-Q1在兼容性、電磁抗擾性以及系統(tǒng)適配性方面均達(dá)到了全球領(lǐng)先水平。NCA1044-Q1：國(guó)內(nèi)首顆通過VeLIO認(rèn)證的CAN FD收發(fā)器VeLIO認(rèn)證由豐田制定，用于考察通信類芯片在車輛局域網(wǎng)下的
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東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET

中國(guó)上海，2025年8月28日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。三款器件于今日開始支持批量出貨。三款新產(chǎn)品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)
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東芝與天岳先進(jìn)達(dá)成SiC功率半導(dǎo)體襯底合作協(xié)議

據(jù)“天岳先進(jìn)”官方微信公眾號(hào)消息，8月22日，東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“東芝電子元件”）與山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“天岳先進(jìn)”）就SiC功率半導(dǎo)體用襯底達(dá)成基本合作協(xié)議。雙方將在技術(shù)協(xié)作與商業(yè)合作兩方面展開深入合作，具體包括提升SiC功率半導(dǎo)體特性和品質(zhì)，以及擴(kuò)大高品質(zhì)穩(wěn)定襯底供應(yīng)。未來，雙方將圍繞合作細(xì)節(jié)展開進(jìn)一步磋商。東芝電子元件憑借在鐵路用SiC功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的開發(fā)與制造經(jīng)驗(yàn)，正加速推進(jìn)服務(wù)器電源用和車載用SiC器件的研發(fā)。未來，東芝電子元件計(jì)劃進(jìn)一步降低SiC功率半導(dǎo)
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SiC MOSFET 界面陷阱檢測(cè)升級(jí)：Force-I QSCV 方法詳解

電容-電壓 (C-V) 測(cè)量廣泛用于半導(dǎo)體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)基于 SMU 施加電壓并測(cè)量電流的準(zhǔn)靜態(tài)方法適用于硅 MOS，但在?SiC MOS 器件上因電容更大易導(dǎo)致結(jié)果不穩(wěn)定。為解決這一問題，Keithley 4200A-SCS 引入?Force-I QSCV 技術(shù)，通過施加電流并測(cè)量電壓與時(shí)間來推導(dǎo)電容，獲得更穩(wěn)定可靠的數(shù)據(jù)。Force-I QSCV 技術(shù)在 SiC 功率 MOS 器件上體現(xiàn)出多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。比如僅需 1 臺(tái)帶前
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第三代半導(dǎo)體洗牌GaN躍居主角

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新報(bào)告指出，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，氮化鎵（GaN）功率元件憑借其高頻、高功率特性，在5G/6G基地臺(tái)、航空航天、AI運(yùn)算等應(yīng)用領(lǐng)域快速崛起。拓墣預(yù)估，2025年全球GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)7.5億美元，年增率高達(dá)62.7%，至2030年將擴(kuò)大至43.8億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率（CAGR）達(dá)42.3%。GaN組件具備優(yōu)異電性能與高可靠性，除了主流通訊以及工業(yè)應(yīng)用外，也加速滲透至智慧城市、無線充電與醫(yī)療設(shè)備等新興場(chǎng)景。隨中國(guó)大陸等地積極推動(dòng)產(chǎn)業(yè)自主，全球GaN供應(yīng)鏈本土化進(jìn)程加速，各國(guó)
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Microchip與臺(tái)達(dá)電子簽署碳化硅解決方案合作協(xié)議，共創(chuàng)電源管理未來

隨著人工智能（AI）快速發(fā)展與萬物電氣化進(jìn)程加速，市場(chǎng)對(duì)更高的電源效率與可靠性的需求持續(xù)增長(zhǎng)。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布與全球電源管理與智能綠色解決方案領(lǐng)導(dǎo)者臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司（Delta Electronics, Inc.）（以下簡(jiǎn)稱“臺(tái)達(dá)電子”）簽署全新合作協(xié)議。雙方將攜手在臺(tái)達(dá)設(shè)計(jì)中應(yīng)用Microchip的mSiC?產(chǎn)品與技術(shù)，通過雙方合作加速創(chuàng)新型碳化硅（SiC）解決方案、節(jié)能產(chǎn)品及系統(tǒng)的開發(fā)，助力構(gòu)建更可持續(xù)的未來。Microchip負(fù)責(zé)高功
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基于onsemi NCP51752隔離式SiC MOSFET閘極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板

NCP51752是隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5 A/-9A。它們?cè)O(shè)計(jì)用于快速切換以驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關(guān)。 NCP51752提供短而匹配的傳播延遲。為了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地關(guān)閉，NCP51752具有嵌入式負(fù)偏置軌機(jī)制在GND2和VEE引腳之間。本用戶指南支持NCP51752的評(píng)估板。它應(yīng)該與NCP51752數(shù)據(jù)表以及onsemi的應(yīng)用說明和技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)一起使用。本文檔描述了孤立單體的擬
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650V GaN器件在高功率應(yīng)用中對(duì)SiC構(gòu)成挑戰(zhàn)

瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺(tái)，該平臺(tái)具有適用于高功率應(yīng)用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發(fā)布代表了該公司在收購 Transphorm 并與其控制器和驅(qū)動(dòng)器 IC 產(chǎn)品線集成后對(duì) GaN 技術(shù)的持續(xù)投資。與之前的 35 毫歐姆器件相比，Gen 4+ 平臺(tái)的 RDS（on）和芯片尺寸減小了 14%，直接降低了成本。開關(guān)品質(zhì)因數(shù)提高了 50%，而輸出品質(zhì)因數(shù)提高了 20% 以上。在比較測(cè)試中，瑞薩電子在 4 kW 電源應(yīng)用中的損耗比領(lǐng)先的碳化硅 MOSFET 和 JF
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香港首座8英寸SiC晶圓廠獲得批準(zhǔn)

6月25日，香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技局轄下創(chuàng)新科技署宣布，Jizcube Semiconductor （Hong Kong） Limited提交的「新工業(yè)加速計(jì)劃」申請(qǐng)已獲得評(píng)審委員會(huì)批準(zhǔn)。獲批項(xiàng)目涉及在香港興建寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅（SiC）晶圓制造設(shè)施。項(xiàng)目總預(yù)算超過 7 億港元，將獲得 2 億港元的「新產(chǎn)業(yè)加速計(jì)劃」資助。這筆資金預(yù)計(jì)將大大提升香港的先進(jìn)半導(dǎo)體制造能力，并加速其在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展。Jizcube 于 2023 年 10 月在香港注冊(cè)成立，并于 2024 年 6 月正式開始運(yùn)營(yíng)，同時(shí)
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